2022 рік принесе нове покоління пам’яті SDRAM DDR5, яке здатне забезпечити значний приріст продуктивності у порівнянні з попередніми стандартами. Поліпшення порівняно зі стандартом DDR4 є найбільшими за всю історію розвитку оперативної пам’яті. Перехід від DDR4 до DDR5 є чимось більшим, ніж типова зміна покоління DDR SDRAM. Ця пам’ять робить великий стрибок уперед з оновленою архітектурою для суттєвого збільшення пропускної спроможності ОЗП. У той час як попередні покоління оперативної пам’яті були зосереджені на зниженні енергоспоживання (що стимулювалося мобільними пристроями та центрами обробки даних), основною метою DDR5 є задоволення потреб у пропускній здатності підсистеми пам’яті.
DDR3 vs DDR4 vs DDR 5
Експертне моделювання пам’яті на системному рівні демонструє збільшення продуктивності ефективної пропускної спроможності приблизно в 1.36 рази в порівнянні з DDR4, при рівнозначній швидкості передачі даних 3200 МТ/с (мегатранзакцій за секунду). За більш високої швидкості передачі даних, продуктивність збільшується приблизно в 1.87 разів.
Модуль BIWIN DDR5 U-DIMM, створений з використанням найновіших мікросхем 1znm 16 ГБ від Micron, досягає рівня 4800 Мбіт/с, що значно перевищує максимально можливу частоту пам’яті DDR4. На ранній стадії розробки, у міру того, як виробники ПК будуть освоювати сумісність компонентів, BIWIN Storage Technology запропонує своїм клієнтам комплекти ОЗП ємністю 16 ГБ і 32 ГБ. Окрім підвищення продуктивності, BIWIN DDR5 UDIMM мають високу надійність, будуть широкодоступні та зручні у використанні.
Механізм корекції помилок One-die ECC
Спираючись на досвід корекції даних у промислових та серверних системах управління, а також у корпоративних застосунках, механізм корекції помилок в ОЗП, One-die ECC, тепер стане основою і для звичайних систем користувача. Цей механізм може працювати незалежно, зменшуючи навантаження на контролер пам’яті та забезпечує комплексний захист під час передачі даних.
WR баланс даних, що зчитуються
Ця функція усуває сигнальні перешкоди і забезпечує вищу продуктивність при читанні даних із ОЗП.
PMIC – управління живленням
Мікросхема керування живленням PMIC посилює сигнал, забезпечує високу ефективність в управлінні живленням, проводить регулювання пульсацій, синхронізує напругу і все це при значно зниженій напрузі живлення ОЗП – 1.1 В. Позитивними ефектами використання окремої мікросхеми живлення модулів DDR5 є зменшення нагріву пам’яті та збільшення загальної енергоефективності.
Data CRC – алгоритм перевірки цілісності даних
Оперативна пам’ять BIWIN DDR5 підтримує алгоритми перевірки цілісності даних (CRC) під час запису та читання. Таким чином забезпечується високошвидкісна, високоточна та недорога корекція даних.
BIWIN DDR5, блискавичні обчислення
BIWIN виявляє ранню ініціативу щодо випуску пам’яті нового стандарту. Але в 2022 році будуть й інші інновації, оскільки DDR5 поступово стане стандартом у компонентній системі ПК.
У найближчому майбутньому BIWIN планує випустити SODIMM DDR5 та оперативну пам’ять DDR5 на базі мікросхем пам’яті Samsung. Як постачальник чипів зберігання даних з повним спектром послуг, компанія BIWIN буде пропонувати пам’ять DDR5 не тільки для ПК преміум-класу, але й для інших сфер діяльності – комп’ютери для кіберспорту, центри обробки даних, штучний інтелект та AIoT програми.