Вчені від компанії Intel з Каліфорнійського університету в Берклі та Національної лабораторії ім. Лоуренса в Берклі розробили магнітоелектричний спін-орбітальний логічний елемент (MESO – magneto-electric spin-orbit). Він прийде на заміну технології CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor / КМОП – комплементарна структура метал-оксид-напівпровідників), тобто звичайним транзисторам.
Intel вважає, що застосування MESO зможе вивести електроніку з глухого кута, в який вона зайде, коли зменшувати надалі сучасні транзистори стане неможливо. Перевагою MESO є те, що напруга, необхідна для його перемикання, в п’ять разів нижча напруги при перемиканні CMOS. Проведені експерименти показали, що для перемикання досить 500 мВ. Проте, вчені підрахували, що це значення можна довести до 100 мВ. В результаті, процесори на MESO споживатимуть в 10-30 разів менше енергії в порівнянні з чіпами на транзисторах. У перспективі можна говорити про підвищення енергоефективності в 10-100 разів у порівнянні з тим, чого в майбутньому можна домогтися від CMOS.
Intel розказав про плани щодо власної дискретної графіки
Рейтинг компаній, які найбільше інвестують в дослідження і розробки
Головним проривом у створенні MESO стала поява топологічних матеріалів зі спін-орбітальним ефектом. На відміну від приладів CMOS, робота яких пов’язана з потоками електронів, принцип роботи приладів MESO заснований на ефекті спін-орбітальної трансдукції, що відбиває зв’язок моменту імпульсу електрона з його лінійним імпульсом. Всі представлені розробки знаходяться на ранніх стадіях дослідження. Коли вони стануть комерційним продуктом, сьогодні ніхто не знає.