Сучасні реалії такі, що не дивлячись на надмірну продуктивність актуальних однокристальних систем для смартфонів, виробникам доводиться випускати все нові і нові рішення, в простій погоні за “збільшенням циферок”.
SoC Snapdragon 820 була представлена в серпні 2015 року, а перші смартфони з цією системою вийшли на ринок близько року тому. То ж, відповідно до тенденцій, Qualcomm саме час виводити на ринок нове рішення. Одразу обмовимося, що Snapdragon 821 таким вважати не можна, адже це лишень дуже скромне оновлення, а не цілковито новий продукт.
Тому, сьогодні компанія анонсує однокристальну систему Snapdragon 835. Саме так, пропускаючи номер 830. Як і у випадку попередниці, перший анонс суто номінальний. Qualcomm не розкрила всі карти, розповівши про нову SoC зовсім небагато. Якщо бути точним, то опублікований прес-реліз, по суті, є навіть не анонсом нової платформи, а анонсом співпраці Qualcomm і Samsung.
Як повідомляється, дві компанії розширили стратегічне партнерство для виробництва SoC Snapdragon 835. Вироблятися вона буде по 10-нанометровій технології FinFET. Нагадаємо, корейський гігант є першим напівпровідниковим виробником, який оголосив про старт масового виробництва 10-нанометрової продукції. У порівнянні з нормами 14 нм, нова технологія дозволить на 40% знизити енергоспоживання та на цілих 27% збільшити продуктивність. (Йой – Почувши останні цифри, виникає відчуття ідентичне до такого під час презентацій нових ґаджетів Apple!)
Документ свідчить, що нова SoC вже знаходиться у виробництві і очікувати перші пристрої на її основі можна в першій половині 2017 року. Нескладно здогадатися, що Samsung Galaxy S8 буде одним з таких.