Компанія Samsung анонсувала новий 6-Гб модуль оперативної пам’яті LPDDR4, побудований на 10-нм технологічному процесі. Його презентація відбулася на форумі Samsung Mobile Solutions Forum, що зараз проходить в китайському Шеньчжені (Shenzhen).
Слід уточнити, що випуск “10-нм” пам’яті зовсім не означає, що компанія Samsung значно зменшила технологічні норми при виробництві. Скоріш за все, мова йде про технологічні норми, рівних 18 нм, що формально потрапляє під визначення “класу 10 нм”. Також слід розуміти, що ємність кристалів, з яких зібраний 6-Гб чіп LPDDR4, швидше за все становить 6 Гбіт, а представлений чіп – це упаковка з 8 таких кристалів. Але це не скасовує головного – виробники смартфонів і компанія Samsung в першу чергу незабаром зможуть скористатися передовою розробкою. Додамо, Samsung нітрохи не збавляє темп впровадження новітніх технологічних процесів – це те, що дозволяє їй йти попереду всіх зі значним відривом від конкурентів на ринку пам’яті.
Вважається, що за продуктивність Samsung Galaxy Note 6 відповідатиме новітня апаратна платформа Snapdragon 823, яка відрізняється від Snapdragon 820 більш високою частотою кастомних ядер. А 5,8″ сенсорний Slim RGB AMOLED дисплей пристрою має QHD роздільну здатність у 1440 х 2560 пікселів.
Слухавка поставлятиметься з акумулятором ємністю 4 000 мА*год. У ньому використовується така ж, як у сімейства Galaxy S7, тильна 12 Мп камера, а в якості операційної системи Galaxy Note 6 може отримати новенький Android N (Nalisnik). Хоча ходять чутки про те, що корейці можуть не встигнути з розробкою цієї прошивки, і Galaxy Note 6 “прямо з коробки” буде поставлятися з Android 6.0 Marshmallow. Ну і, звичайно, ґаджет отримає підтримку цифрового пера S Pen, що розпізнає 1024 ступенів натискання.