Нові чіпи оперативної пам’яті Samsung повинні ощадніше ставитися до заряду акумулятора завдяки підвищенню ефективності. Вони будуть призначені для майбутніх флагманів і дозволять зробити корпуси мудрофонів тоншими. Чіпи другого покоління, виконані по 10-нм техпроцесу LPDDR4X, матимуть ту ж швидкість передачі даних (4 266 Мб/с), але на 10% менше енергоспоживання.
Виробник зазначив, що вже випробував мікросхеми оперативної пам’яті ємністю 8 Гб, об’єднавши чотири модулі 16 Гб LPDDR4X. Такий чотирьохканальний варіант забезпечує швидкість передачі даних на рівні 34.1 Гб/с. При цьому мікросхема вийшла на 20% тоншою, ніж пам’ять першого покоління, що дозволить виробникам смартфонів створювати ще тонші пристрої.
Новий енергоефективний чіп повинен з’явитися у флагманських моделях укінці цього чи на початку наступного року. Виробництво є серйозною зміною в лінійці чіпів компанії, оскільки передбачає 70-відсоткове розширення виробництва. Нові мікросхеми пам’яті мають з’явитися спочатку в наступних флагманах Galaxy, але точно не в прийдешньому Note 9.