Оперативна пам’ять DDR5 ще не вийшла на споживчий і корпоративний ринки, а південнокорейська компанія SK Hynix вже проектує наступне покоління ОЗП. Як очікується, новий стандарт DDR6 забезпечить швидкість передачі до 12 Гбіт/сек.
Повідомляється, що на розробку піде п’ять-шість років, так що раніше 2025 року готових виробів чекати не варто. Як заявив анонімний співробітник SK Hynix, мова йде не просто про нарощування пропускної здатності, але і про об’єднання технологій DRAM (Dynamic Random Access Memory) з технологіями однокристальних систем, таких як CPU.
У листопаді Hynix повідомив про успішне завершення робіт над 16-гігабітними мікросхемами DDR5, серійне виробництво яких має стартувати у 2020 році. Разом з цим був представлений модуль RDIMM DDR5-5200 об’ємом 16 Гб, побудований на базі нових мікросхем. Зразки планок DDR5 були направлені для подальшого тестування.