SoC Qualcomm Snapdragon 828 і 830 будуть випускатися по 10 нм техпроцесу

Раніше ми вже повідомляли, що процесор Qualcomm Snapdragon 823, який стане більш швидкою версією нинішнього Qualcomm Snapdragon 820 (MSM98996) буде випускатися по 10-нанометровому технологічному процесу. А тепер видання Fudzilla повідомило, що з дотриманням аналогічних норм будуть випускатися SoC Qualcomm Snapdragon 828 і Snapdragon 830, які з’являться на ринку в цьому році.

Джерело видання стверджує, що використання 10-нанометрового техпроцесу дозволить зменшити споживання енергії і розмір транзисторів. При цьому він точно не знає, скільки саме ядер Kryo увійде до складу нових процесорів. Вони, до речі, також будуть укомплектовані вбудованим LTE-модемом X16 1 Гбіт / с з частотами 4×20 МГц і швидкістю до 150 Мбіт / с.

Однокристальная платформа Qualcomm Snapdragon 830 (MSM8998) отримає вдосконалений графічний процесор Adreno 540, детальної інформації про який поки немає. Також вона буде підтримувати оперативну пам’ять 4 xLPDDR 4X і функцію швидкої зарядки акумулятора Qualcomm Quick Charge (SMB1351). Що ж стосується чіпа Qualcomm Snapdragon 828, то він буде мати графіку Adreno 519 і LTE-модем Qualcomm X12 (600 Мбіт / с і 150 Мбіт / с). Його інші характеристики поки невідомі.

Snapdragon 830 є прямим наступником Snapdragon 820, а Qualcomm 828, ймовірно, прийде на заміну Snapdragon 808 або Snapdragon 810. Обидва нових процесора будуть представлені в четвертому кварталі нинішнього року, а перші мобільні пристрої на їх основі дебютують в кінці першої або на початку другої чверті наступного року.