Samsung продемонструвала 256-Мбіт 3-нм масив SRAM

Компанія Samsung повідомила про створення 256-Мбіт масиву пам’яті SRAM з використанням 3-нм техпроцесу і повністю нових транзисторів MBCFET. Multi-Bridge Channel FET (MBCFET) – зареєстрована торгова марка Samsung – так звані транзистори GAAFET з кільцевим або всебічним затвором, коли канал або кілька каналів транзистора оточені затвором з усіх чотирьох сторін. Виробництво таких напівпровідників буде запущено вже в 2022 році.

Перша концепція GAAFET була представлена ​​ще в 1988 році. Її теоретично було добре вивчено. Проте, причина перейти на цю структуру з’явилася лише тільки зараз. Класичні FinFET-транзистори з вертикальними ребрами-плавниками перестають нормально працювати з технологічними нормами, що менші 5-нм. У разі подальшого нарощування продуктивності та зниження енергоспоживання з одночасним зменшенням фізичних розмірів транзисторів, в процесі зниження технологічних норм, керувати транзисторними каналами стає складніше. Тому, збільшення площі контакту між затвором і каналом, завдяки повному охопленню каналу, є простим виходом з ситуації, який, що дуже важливо, дозволяє випускати нові транзистори на колишньому обладнанні.

Важливим нововведенням при виробництві чипів на транзисторах MBCFET (GAAFET) стане можливість задавати ширину каналів-нанолистів. А також буде можливість задавати число в складі кожного транзистора для кожного окремого випадку. Наприклад, для більш продуктивної логіки ширину нанолистів можна збільшити, а для блоків з низьким енергоспоживанням зменшити. Ба більше, з’являється можливість настільки гнучкого проектування, що навіть в окремо взятій шеститранзисторній елементарній комірці SRAM, частину транзисторів можна створити з широкими каналами-нанолистів, а частину з вузькими. Саме це Samsung продемонструвала при створенні 256-Мбіт 3-нм масиву SRAM.

Компанія підтвердила здатність добитися нових рівнів продуктивності і ефективності. У порівнянні з 7-нм техпроцесом (технологія 7LPP), швидкість роботи 3-нм MBCFET транзисторів зросла до 30% при однаковій потужності та складності. А при однаковій частоті та складності, можна зменшити до 50% енергоспоживання.

Правила коментування

Вітаємо Вас на сайті Pingvin Pro. Ми докладаємо всіх зусиль, аби переконатися, що коментарі наших статей вільні від тролінгу, спаму та образ. Саме тому, на нашому сайті включена премодерація коментарів. Будь ласка, ознайомтеся з кількома правилами коментування.

1. Перш за все, коментування відбувається через сторонній сервіс Disqus. Модератори сайту не несуть відповідальність за дії сервісу.
2. На сайті ввімкнена премодерація. Тому ваш коментар може з’явитися не одразу. Нам теж інколи треба спати.
3. Будьте ввічливими – ми не заохочуємо на сайті грубість та образи. Пам’ятайте, що слова мають вплив на людей! Саме тому, модератори сайту залишають за собою право не публікувати той чи інший коментар.
4. Будь-які образи, відкриті чи завуальовані, у бік команди сайту, конкретного автора чи інших коментаторів, одразу видаляються. Агресивний коментатор може бути забанений без попереджень і пояснень з боку адміністрації сайту.
5. Якщо вас забанили – на це були причини. Ми не пояснюємо причин ані тут, ані через інші канали зв’язку з редакторами сайту.
6. Коментарі, які містять посилання на сторонні сайти чи ресурси можуть бути видалені без попереджень. Ми не рекламний майданчик для інших ресурсів.
7. Якщо Ви виявили коментар, який порушує правила нашого сайту, обов’язково позначте його як спам – модератори цінують Вашу підтримку.