Гібридне бондування: Samsung готує технологічний ривок

Гібридне бондування стає ключовою темою в розвитку памʼяті та пакування мікросхем. Цей метод зʼєднує метали і оксиди шарів напряму, що скорочує довжину трас і зменшує паразитні опори. Samsung, SK hynix та Micron уже переходять від лабораторних випробувань до промислових зразків. Samsung планує надати зразки HBM4 у 2025 році і перейти до масового виробництва в 2026 році. Дочірня компанія Samsung, Semes, у 2024 році виготовляла 16-шарові пробні модулі на обладнанні для «hybrid bonding» (гібридне зʼєднання/бондування). Такі кроки підсилюють позицію технології в індустрії.

Гібридне бондування: переваги для HBM і NAND

Основні переваги – вища щільність міжшарових зʼєднань, краща цілісність сигналу і зменшене енергоспоживання. Для HBM (памʼять з високою пропускною здатністю) це відкриває шлях до більшої кількості шарів без значного збільшення товщини пакета. Samsung уже тестував 16-шарові модулі на базі hybrid bonding, а Micron постачає пробні HBM4-модулі. Micron згадував 12-шарові модулі з ємністю 36 ГБ і пропускною здатністю до 2 ТБ/с. У сегменті NAND гібридне бондування дозволяє розглядати V10 NAND з понад 400 шарами. У звітах згадується діапазон приблизно 420-430 шарів для V10 і застосування W2W-звʼязків для покращення теплового режиму.

Ринок і обладнання: реакція гравців

Перехід на гібридне зʼєднання відбувається нерівномірно. TrendForce цитує заяви Hanmi Semiconductor, яка вважає, що термокомпресійні (TC) бондери залишаються придатними для HBM4 і HBM5 з огляду на рішення JEDEC про допустиму товщину пакета 775 μm. Водночас джерела зазначають, що гібридні бондери коштують понад 10 млрд південнокорейських вон кожен. Hanmi готує власні гібридні бондери з прицілом на HBM6 і комерційний запуск до кінця 2027 року, а також працює над безфлюсними бондерними рішеннями. Основні постачальники обладнання – BESI, Applied Materials та ASMPT – вже поставляють платформи для hybrid bonding, а попит на такі системи зростає.

SK hynix готує 400-шарову NAND і має плани щодо масового виробництва в 2026 році. Samsung водночас розглядає спеціальні HBM-рішення для великих клієнтів, зокрема з інтеграцією обчислювальних функцій у базовий шар. Applied Materials розвиває платформу Hybrid Bonding Integrated Solution, а деякі пакувальні центри вже тестують обладнання від BESI. Патентні портфелі і ліцензії визначатимуть темпи впровадження. Для ринку прискорювачів штучного інтелекту і графічних адаптерів цей перехід може принести помітний приріст пропускної здатності і енергоефективності. Гібридне бондування вже закладає технологічну основу для нових поколінь HBM і 3D NAND. Очікуються перші серійні продукти в 2026-2027 роках. Технологія матиме помітний вплив на ринок.

Правила коментування

Вітаємо Вас на сайті Pingvin Pro. Ми докладаємо всіх зусиль, аби переконатися, що коментарі наших статей вільні від тролінгу, спаму та образ. Саме тому, на нашому сайті включена премодерація коментарів. Будь ласка, ознайомтеся з кількома правилами коментування.

1. Перш за все, коментування відбувається через сторонній сервіс Disqus. Модератори сайту не несуть відповідальність за дії сервісу.
2. На сайті ввімкнена премодерація. Тому ваш коментар може з’явитися не одразу. Нам теж інколи треба спати.
3. Будьте ввічливими – ми не заохочуємо на сайті грубість та образи. Пам’ятайте, що слова мають вплив на людей! Саме тому, модератори сайту залишають за собою право не публікувати той чи інший коментар.
4. Будь-які образи, відкриті чи завуальовані, у бік команди сайту, конкретного автора чи інших коментаторів, одразу видаляються. Агресивний коментатор може бути забанений без попереджень і пояснень з боку адміністрації сайту.
5. Якщо вас забанили – на це були причини. Ми не пояснюємо причин ані тут, ані через інші канали зв’язку з редакторами сайту.
6. Коментарі, які містять посилання на сторонні сайти чи ресурси можуть бути видалені без попереджень. Ми не рекламний майданчик для інших ресурсів.
7. Якщо Ви виявили коментар, який порушує правила нашого сайту, обов’язково позначте його як спам – модератори цінують Вашу підтримку.