Компанія Samsung Electronics оголосила про початок серійного випуску перших в індустрії вбудованих модулів флеш-пам’яті eUFS (embedded Universal Flash Storage) місткістю 512 Гб для смартфонів та планшетів. Вони побудовані на базі новітніх мікросхем 64-шарової флеш-пам’яті V-NAND щільністю 512 Гбіт.
Виробник підкреслює, що нові модулі флеш-пам’яті eUFS місткістю 512 Гб, що складаються з восьми мікросхем 64-шарової флеш-пам’яті V-NAND щільністю 512 Гбіт і контролера, за розмірами корпусу ідентичні попередникам місткістю 256 Гб (там використовували мікросхеми 48-шарової флеш- пам’яті щільністю 256 Гбіт), випущені в лютому 2016 року. Таким чином, менш ніж за два роки інженерам Samsung вдалося вдвічі підвищити щільність зберігання даних.
За словами виробника, більш місткі флеш-накопичувачі нададуть користувачам ще більше можливостей для зберігання і роботи з високоякісним контентом. Наприклад, флагманський смартфон з накопичувачем такого обсягу здатний вмістити 130 відеороликів тривалістю близько 10 хвилин кожен, знятих в дозволі 3840х2160 пікселів. Це в десять разів більше, ніж здатний вмістити сучасний смартфон з 64 Гб флеш-пам’яті.
Samsung вбудована флеш-пам’ять
Що стосується швидкісних показників та продуктивності. Швидкість послідовного читання в нових модулях Samsung досягає 860 Мб/с, послідовні записи – 255 Мб/с. Максимальна продуктивність на операціях з довільним доступом в режимі читання – 42 000 IOPS, в режимі запису – 40 000 IOPS. Це приблизно в 400 разів вище, ніж у карт пам’яті microSD (близько 100 IOPS).