Останні публікації за тегом «eUFS»


Новини ІТ

Samsung представила Secure Element для захисту мобільних пристроїв

Компанія Samsung Electronics представила рішення для мобільних пристроїв Secure Element (SE) з сертифікацією Common Criteria Evaluation Assurance Level 5 +. Нова розробка містить чип S3K250AF та оптимізоване ПЗ, яке забезпечує безпеку особистих даних в ізольованому сховищі. Починаючи з перевірки електронної пошти і здійснення онлайн-платежів до заміни ключів від будинку та покупки авіаквитків, на смарт-девайсах є […]


Новини ІТ

Samsung починає абсолютно новий напрямок роботи

Кількість безпілотних автомобілів поступово збільшується, а їхня технічна сторона покращується. Це те недалеке майбутнє, яке вже стає реальністю сьогодення. Південнокорейський гігант Samsung хоч і не розробляє власний безпілотний автомобіль, проте має, що запропонувати виробникам. Мова йде про оперативну та постійну пам’ять компанії, а також про твердотільні накопичувачі. Samsung і Tous випустили лімітовану колекцію Galaxy Watch […]


Новини ІТ

Samsung представив універсальний накопичувач eUFS 2.1 на 1 Тб

Чотири роки тому компанія представила накопичувач eUFS ємністю 128 Гб. А сьогодні Samsung оголосив про початок масового виробництва вбудованої пам’яті eUFS 2.1 ємністю 1 Тб для використання в мобільних пристроях наступного покоління. Тепер власники мобільних пристроїв зможуть використовувати ємність пам’яті, яку можна прирівняти до ноутбука преміум-класу. І це без необхідності встановлення microSD карту. Samsung Galaxy M10 та Galaxy […]


Новини ІТ

Samsung випустила вбудовану флеш-пам’ять об’ємом 512 Гб

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок серійного випуску перших в індустрії вбудованих модулів флеш-пам’яті eUFS (embedded Universal Flash Storage) місткістю 512 Гб для смартфонів та планшетів. Вони побудовані на базі новітніх мікросхем 64-шарової флеш-пам’яті V-NAND щільністю 512 Гбіт. Виробник підкреслює, що нові модулі флеш-пам’яті eUFS місткістю 512 Гб, що складаються з восьми мікросхем 64-шарової флеш-пам’яті […]