Кілька днів тому Qualcomm анонсувала нову флагманську однокристальну систему Snapdragon 835. Але під час її презентації чіпороб зосередився не стільки на самій платформі, скільки на підтримуваній нею технології швидкої зарядки Quick Charge 4.0. І більшість характеристик Snapdragon 835 фактично залишилися за кадром.
Але, судячи з останнього витоку, Snapdragon 835 (MSM 8998) буде серйозно відрізнятися від попередників і отримає оновлені ядра Kyro 200 в конфігурації 4 + 4. Тобто нова SoC буде оснащуватися НЕ 4, а 8-ядерним процесором. А графічна підсистема чіпсета буде представлена новим продуктивним прискорювачем Adreno 540.
Snapdragon 835 отримає підтримку 4-канальної оперативної пам’яті LPDDR4X-1866 і флеш-пам’яті UFS 2.1. Він буде оснащений модемом LTE X16 з підтримкою мереж LTE Cat.16 зі швидкістю завантаження до 1 Гбіт / с. Чіпсет побудований на 10-нм техпроцесі FinFet. Він дебютує в першому кварталі 2017 року, а першим смартфоном на його основі стане Samsung Galaxy S8, анонс якого відбудеться на MWC 2017.
Крім Snapdragon 835 інформатори змогли дізнатися характеристики і менш продуктивної платформи Qualcomm Snapdragon 660, яка виконана по 14-нм техпроцесу FinFet LPP і оснащується 8-ядерним процесором з максимальною частотою 2,2 ГГц.
У цій SoC використовуються графічний прискорювач Adreno 512 і модем X10. Вона підтримує 2-канальну ОЗП LPDDR4X-1866 і флеш-пам’ять UFS 2.1. А виробництво платформи почнеться в другому кварталі 2017 року.