Samsung продемонструвала 256-Мбіт 3-нм масив SRAM

Компанія Samsung повідомила про створення 256-Мбіт масиву пам’яті SRAM з використанням 3-нм техпроцесу і повністю нових транзисторів MBCFET. Multi-Bridge Channel FET (MBCFET) – зареєстрована торгова марка Samsung – так звані транзистори GAAFET з кільцевим або всебічним затвором, коли канал або кілька каналів транзистора оточені затвором з усіх чотирьох сторін. Виробництво таких напівпровідників буде запущено вже в 2022 році.

Перша концепція GAAFET була представлена ​​ще в 1988 році. Її теоретично було добре вивчено. Проте, причина перейти на цю структуру з’явилася лише тільки зараз. Класичні FinFET-транзистори з вертикальними ребрами-плавниками перестають нормально працювати з технологічними нормами, що менші 5-нм. У разі подальшого нарощування продуктивності та зниження енергоспоживання з одночасним зменшенням фізичних розмірів транзисторів, в процесі зниження технологічних норм, керувати транзисторними каналами стає складніше. Тому, збільшення площі контакту між затвором і каналом, завдяки повному охопленню каналу, є простим виходом з ситуації, який, що дуже важливо, дозволяє випускати нові транзистори на колишньому обладнанні.

Важливим нововведенням при виробництві чипів на транзисторах MBCFET (GAAFET) стане можливість задавати ширину каналів-нанолистів. А також буде можливість задавати число в складі кожного транзистора для кожного окремого випадку. Наприклад, для більш продуктивної логіки ширину нанолистів можна збільшити, а для блоків з низьким енергоспоживанням зменшити. Ба більше, з’являється можливість настільки гнучкого проектування, що навіть в окремо взятій шеститранзисторній елементарній комірці SRAM, частину транзисторів можна створити з широкими каналами-нанолистів, а частину з вузькими. Саме це Samsung продемонструвала при створенні 256-Мбіт 3-нм масиву SRAM.

Компанія підтвердила здатність добитися нових рівнів продуктивності і ефективності. У порівнянні з 7-нм техпроцесом (технологія 7LPP), швидкість роботи 3-нм MBCFET транзисторів зросла до 30% при однаковій потужності та складності. А при однаковій частоті та складності, можна зменшити до 50% енергоспоживання.