Samsung Electronics розпочала виробництво пам’яті з високою пропускною здатністю HBM2 об’ємом 8 ГБ і рекордною швидкістю передачі даних

Новий інтерфейс HBM2 Aquabolt демонструє максимальну продуктивність DRAM-пам’яті, яка підійде для суперкомп’ютерів наступного покоління, рішень штучного інтелекту та графічних систем. Сеул, Корея — 12 січня 2018 року. Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, повідомила про старт масового виробництва другого покоління пам’яті з високою пропускною здатністю HBM2. Об’єм пам’яті становить 8 ГБ, а сам […]

---

Грицина Михайло

12 Січ, 2018