Гібридне бондування стає ключовою темою в розвитку памʼяті та пакування мікросхем. Цей метод зʼєднує метали і оксиди шарів напряму, що скорочує довжину трас і зменшує паразитні опори. Samsung, SK hynix та Micron уже переходять від лабораторних випробувань до промислових зразків. Samsung планує надати зразки HBM4 у 2025 році і перейти до масового виробництва в 2026 році. Дочірня компанія Samsung, Semes, у 2024 році виготовляла 16-шарові пробні модулі на обладнанні для «hybrid bonding» (гібридне зʼєднання/бондування). Такі кроки підсилюють позицію технології в індустрії.
Гібридне бондування: переваги для HBM і NAND
Основні переваги – вища щільність міжшарових зʼєднань, краща цілісність сигналу і зменшене енергоспоживання. Для HBM (памʼять з високою пропускною здатністю) це відкриває шлях до більшої кількості шарів без значного збільшення товщини пакета. Samsung уже тестував 16-шарові модулі на базі hybrid bonding, а Micron постачає пробні HBM4-модулі. Micron згадував 12-шарові модулі з ємністю 36 ГБ і пропускною здатністю до 2 ТБ/с. У сегменті NAND гібридне бондування дозволяє розглядати V10 NAND з понад 400 шарами. У звітах згадується діапазон приблизно 420-430 шарів для V10 і застосування W2W-звʼязків для покращення теплового режиму.
Ринок і обладнання: реакція гравців
Перехід на гібридне зʼєднання відбувається нерівномірно. TrendForce цитує заяви Hanmi Semiconductor, яка вважає, що термокомпресійні (TC) бондери залишаються придатними для HBM4 і HBM5 з огляду на рішення JEDEC про допустиму товщину пакета 775 μm. Водночас джерела зазначають, що гібридні бондери коштують понад 10 млрд південнокорейських вон кожен. Hanmi готує власні гібридні бондери з прицілом на HBM6 і комерційний запуск до кінця 2027 року, а також працює над безфлюсними бондерними рішеннями. Основні постачальники обладнання – BESI, Applied Materials та ASMPT – вже поставляють платформи для hybrid bonding, а попит на такі системи зростає.
SK hynix готує 400-шарову NAND і має плани щодо масового виробництва в 2026 році. Samsung водночас розглядає спеціальні HBM-рішення для великих клієнтів, зокрема з інтеграцією обчислювальних функцій у базовий шар. Applied Materials розвиває платформу Hybrid Bonding Integrated Solution, а деякі пакувальні центри вже тестують обладнання від BESI. Патентні портфелі і ліцензії визначатимуть темпи впровадження. Для ринку прискорювачів штучного інтелекту і графічних адаптерів цей перехід може принести помітний приріст пропускної здатності і енергоефективності. Гібридне бондування вже закладає технологічну основу для нових поколінь HBM і 3D NAND. Очікуються перші серійні продукти в 2026-2027 роках. Технологія матиме помітний вплив на ринок.